全球存储半导体行业正在瓦解其传统（过时）产品，比如2D NAND闪存，的供应链，因为产能正全力转向高带宽内存（HBM）和先进的3D NAND闪存。
据半导体行业12日消息，三星电子已于3月开始，将其华城园区的12线2D NAND生产设施，改造为先进1c DRAM生产的终端制造设施，并逐步停止2D NAND生产。这标志着三星最后一个2D NAND生产中心的关闭，该中心月产能曾达到8万到10万片晶圆。
三星此举恰逢其曾经主导市场的MLC NAND产品停产。公司已通知客户MLC NAND即将退出市场，预计在下个月最后一批发货后，将完全停止供应。MLC每个单元存储2位数据，容量较小，但数据保存能力和耐用性优于3位（TLC）或4位（QLC）技术。它曾作为医疗设备和工业机器人的安全选择，这些设备需要无差错运行超过十年，但由于盈利能力低，现在正被逐步淘汰。
铠侠在3月通知客户，计划逐步退出2D NAND和第三代BiCS闪存产品。其目标是在今年9月底前接收最后订单，2028年12月前完成最终发货，并从2029年开始完全退出市场。美光将仅维持MLC NAND生产以满足现有客户需求，同时终止其消费品牌Crucial。
低容量通用型NAND供应的快速消失正在加剧短缺。近期，MLC 64Gb现货价格较去年年底飙升超过300%，交易价格在20至28美元之间。
